STM32F103C8T6TR中密度性能线系列集成了高性能ARM®Cortex®-M3 32位RISC核心，工作频率为72 MHz，高速嵌入式存储器(闪存高达128 Kbytes, SRAM高达20 Kbytes)，以及广泛的增强型I/ o和连接到两个APB总线的外设。所有设备都提供两个12位adc，三个通用16位定时器和一个PWM定时器，以及标准和高级通信接口:最多两个i2c和spi，三个usart，一个USB和一个CAN。

　　STM32F103C8T6TR的工作电源为2.0至3.6 V。它们可在-40至+85°C的温度范围和-40至+105°C的扩展温度范围内使用。一套全面的省电模式允许设计低功耗应用。

　　STM32F103C8T6TR中密度性能线系列包括6种不同封装类型的器件:从36引脚到100引脚。

　　STM32F103VCT6TR性能线系列集成了高性能ARM®Cortex®-M3 32位RISC核心，工作频率为72 MHz，高速嵌入式存储器(闪存高达512 Kbytes, SRAM高达64 Kbytes)，以及广泛的增强I/ o和连接到两个APB总线的外设。所有设备都提供三个12位adc，四个通用16位定时器和两个PWM定时器，以及标准和高级通信接口:最多两个i2c，三个spi，两个i2s，一个SDIO，五个usart，一个USB和一个CAN。

　　STM32F103VCT6TR高密度性能线系列工作在-40到+105°C的温度范围内，从2.0到3.6 V电源。一套全面的省电模式允许设计低功耗应用。

　　STM32F103RGT6性能线系列集成了高性能ARM®Cortex®-M3 32位RISC核心，工作频率为72 MHz，高速嵌入式存储器(高达1 Mbyte的闪存和高达96 Kbytes的SRAM)，以及广泛的增强型I/ o和连接到两个APB总线的外设。所有器件都提供3个12位adc, 10个通用16位定时器和2个PWM定时器，以及标准和高级通信接口:最多2个i2c, 3个spi, 2个i2s, 1个SDIO, 5个usart，一个USB和一个CAN。

　　STM32F103RGT6密度性能线系列工作在-40至+105°C的温度范围内，从2.0至3.6 V电源。一套全面的省电模式允许设计低功耗应用。

　　STM32F103VDT6性能线系列集成了高性能ARM®Cortex®-M3 32位RISC核心，工作频率为72 MHz，高速嵌入式存储器(闪存高达512 Kbytes, SRAM高达64 Kbytes)，以及广泛的增强I/ o和连接到两个APB总线的外设。STM32F103VDT6提供三个12位adc，四个通用16位定时器和两个PWM定时器，以及标准和高级通信接口:最多两个i2c，三个spi，两个i2s，一个SDIO，五个usart，一个USB和一个CAN。

　　STM32F103VDT6高密度性能线系列工作在-40到+105°C的温度范围内，从2.0到3.6 V电源。一套全面的省电模式允许设计低功耗应用。

　　STM32F103CBU6中密度性能线系列集成了高性能ARM®Cortex®-M3 32位RISC核心，工作频率为72 MHz，高速嵌入式存储器(闪存高达128 Kbytes, SRAM高达20 Kbytes)，以及广泛的增强型I/ o和连接到两个APB总线的外设。所有设备都提供两个12位adc，三个通用16位定时器和一个PWM定时器，以及标准和高级通信接口:最多两个i2c和spi，三个usart，一个USB和一个CAN。

　　STM32F103CBU6的工作电源为2.0至3.6 V。它们可在-40至+85°C的温度范围和-40至+105°C的扩展温度范围内使用。一套全面的省电模式允许设计低功耗应用。

　　STM32F103CBU6中密度性能线系列包括6种不同封装类型的器件:从36引脚到100引脚。根据所选择的设备，包括不同的外围设备集，下面的描述概述了这个系列中提出的全部外围设备。

　　STM32F103ZGT6性能线集成了高性能ARM®Cortex®-M3 32位RISC核心，工作频率为72 MHz，高速嵌入式存储器(高达1 Mbyte的闪存和高达96 Kbytes的SRAM)，以及广泛的增强型I/ o和连接到两个APB总线的外设。所有器件都提供3个12位adc, 10个通用16位定时器和2个PWM定时器，以及标准和高级通信接口:最多2个i2c, 3个spi, 2个i2s, 1个SDIO, 5个usart，一个USB和一个CAN。

　　STM32F103ZGT6密度性能线系列工作在-40至+105°C的温度范围内，从2.0至3.6 V电源。一套全面的省电模式允许设计低功耗应用。

　　STM32F103V8T6中密度性能线系列集成了高性能ARM®Cortex®-M3 32位RISC核心，工作频率为72 MHz，高速嵌入式存储器(闪存高达128 Kbytes, SRAM高达20 Kbytes)，以及广泛的增强型I/ o和连接到两个APB总线的外设。所有设备都提供两个12位adc，三个通用16位定时器和一个PWM定时器，以及标准和高级通信接口:最多两个i2c和spi，三个usart，一个USB和一个CAN。

　　STM32F103V8T6的工作电源为2.0至3.6 V。它们可在-40至+85°C的温度范围和-40至+105°C的扩展温度范围内使用。一套全面的省电模式允许设计低功耗应用。

　　STM32F103V8T6中密度性能线系列包括6种不同封装类型的器件:从36引脚到100引脚。根据所选择的设备，包括不同的外围设备集，下面的描述概述了这个系列中提出的全部外围设备。

　　STM32F100C8T6B微控制器集成了高性能ARM®Cortex®-M3 32位RISC核心，工作频率为24 MHz，高速嵌入式存储器(闪存高达128 Kbytes, SRAM高达8 Kbytes)，以及广泛的增强外设和连接到两个APB总线的I/ o。所有器件都提供标准通信接口(最多两个i2c，两个spi，一个HDMI CEC和最多三个usart)，一个12位ADC，两个12位dac，最多六个通用16位定时器和一个高级控制PWM定时器。

　　STM32F100C8T6B低密度和中密度器件的工作温度范围为- 40至+ 85°C和- 40至+ 105°C，电源为2.0至3.6 V。

　　STM8L101F3P6低功耗系列具有增强型STM8 CPU内核，可提供更高的处理能力(在16 MHz时可达16 MIPS)，同时保持CISC架构的优势，具有改进的代码密度、24位线性寻址空间和针对低功耗操作的优化架构。

　　STM8L101F3P6带有硬件接口(SWIM)的集成调试模块，允许非侵入式应用程序调试和超快闪存编程。

　　STM8L101F3P6微控制器均采用低功耗低压单电源程序闪存。8 KB的设备嵌入数据EEPROM。

　　STM8L101F3P6低功耗基于一组通用的最先进外围设备。外围设备组的模块化设计允许在不同的ST微控制器系列(包括32位系列)中找到相同的外围设备。这使得向不同家族的任何转换都非常容易，并且通过使用一组通用的开发工具而更加简化。

　　STM32F105RCT6连接线系列包含高性能ARM®Cortex®-M3 32位RISC内核，工作频率为72 MHz，高速嵌入式存储器(闪存可达256 KB，SRAM 64 KB)，以及连接到两条APB总线的大量增强型I/O和外围设备。所有设备都提供两个12位ADC、四个通用16位定时器和一个PWM定时器，以及标准和高级通信接口：最多两个I2C、三个SPI、两个I2S、五个USART、一个USB OTG FS和两个CAN。以太网仅在STM32F107xx上可用。

　　STM32F105RCT6连接线系列在-40至+105°C的温度范围内工作，电源电压为2.0至3.6 V。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。

　　STM32F105RCT6连接线系列提供三种不同封装类型的设备：从64针到100针。根据所选择的设备，包括不同的外围设备集，下面的描述概述了该系列中建议的完整外围设备。