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2ED020I06-FI是一款高电压,高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有联锁高侧和低侧参考输出。浮动高侧驱动器可以直接供电,也可以通过自举二极管和电容供电。除了每个驱动器的逻辑输入外,2ED020I06-FI还配备了专用的停机输入。所有逻辑输入兼容3.3 V和5 V TTL。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计用于最小的驱动器交叉传导。传播延迟匹配,以简化在高频应用中的使用。这两种驱动器都设计用于驱动n通道功率MOSFET或IGBT,其工作电压最高可达650V。
2ED020I12FIXUMA1是一款高电压,高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有联锁高侧和低侧参考输出。浮动高侧驱动器可以直接供电,也可以通过自举二极管和电容供电。除了每个驱动器的逻辑输入外,2ED020I12FIXUMA1还配备了专用的停机输入。所有逻辑输入兼容3.3 V和5 V TTL。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计用于最小的驱动器交叉传导。传播延迟匹配,以简化在高频应用中的使用。这两种驱动器都设计用于驱动n通道功率MOSFET或IGBT,其工作电压高达1.2 kV。此外,还提供了通用运算放大器和通用比较器,可用于例如电流测量或过电流检测。
2ED020I06FIXUMA1是一款高电压,高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有联锁高侧和低侧参考输出。浮动高侧驱动器可以直接供电,也可以通过自举二极管和电容供电。除了每个驱动器的逻辑输入外,2ED020I06FIXUMA1还配备了专用的停机输入。所有逻辑输入兼容3.3 V和5 V TTL。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计用于最小的驱动器交叉传导。传播延迟匹配,以简化在高频应用中的使用。这两种驱动器都设计用于驱动n通道功率MOSFET或IGBT,其工作电压最高可达6 50V。