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  意法半导体扩展了STM32L4技术,提供更优越的性能(最高频率可达120 MHz)、更大容量嵌入式存储(最高达2 MB Flash存储器和640 KB SRAM),以及更丰富的图形处理能力和连接特性,同时保持一流的超低功耗能力。

  STM32L4+系列打破了超低功耗领域的处理性能极限。STM32L4+系列通过执行片内FLASH指令可达到150 DMIPS/409 CoreMark得分的性能,内嵌640KB SRAM能够支持更多高级消费、医疗和工业领域的低功耗应用和设备的需求。

  STM32L4+微控制器提供可根据处理需求进行功耗平衡的动态电压调整功能,用于停止模式的低功耗外设(LP UART、LP定时器),安全和防护特性,大量智能外设,以及诸如运算放大器、比较器、12位DAC和16位ADC(硬件过采样)等先进的低功耗模拟外设。

  新的STM32L4+系列还内置了高级图形渲染功能,用以实现最先进的用户图形界面。

  Chrom‐ART Accelerator™是具备意法半导体专利的2D硬件图形加速器,可以高效处理重复的图形,在实时处理或者更高级的图形操作任务时可以降低主CPU的处理负荷。

  Chrom‐ART加速器与内置的大容量SRAM、Chrom‐GRC™全方位显存优化器以及高数据吞吐量的Octo-SPI接口紧密配合,大大提升TFT和DSI控制器的性能,让芯片性能发挥到极致。在基于STM32L4+超低功耗单芯片方案基础上实现“类似智能手机”的图形用户界面。

  STM32L4+系列包括不同的产品线:STM32L4R5/S5、STM32L4R7/S7 (具有TFT接口)、STM32L4R9/S9(具有MIPI-DSI和TFT接口)以及STM32L4P5/Q5。

STM32L471RGT6 超低功耗80 Mhz

  STM32L471RGT6是基于高性能ARM®Cortex®-M4 32位RISC核心的超低功耗微控制器,工作频率高达80 MHz。Cortex-M4核心具有浮点单元(FPU)单精度,支持所有ARM单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一套完整的DSP指令和内存保护单元(MPU),增强了应用程序的安全性。STM32L471RGT6嵌入高速存储器(高达1mbyte的闪存,高达128kbyte的SRAM),用于静态存储器的灵活外部存储器控制器(FSMC)(适用于100引脚及以上封装的设备),Quad SPI闪存接口(适用于所有封装)和广泛的增强型I/ o和外设,连接到两个APB总线,两个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。STM32L471RGT6为嵌入式闪存和SRAM嵌入了几种保护机制:读出保护、写保护、专有代码读出保护和防火墙。该器件提供三个快速12位adc (5 Msps)、两个比较器、两个运算放大器、两个DAC通道、一个内部电压参考缓冲器、一个低功耗RTC、两个通用32位定时器、两个专用于电机控制的16位PWM定时器、七个通用16位定时器和两个16位低功耗定时器。

STM32L476VGT6 超低功耗80 Mhz

  STM32L476VGT6是基于高性能Arm®Cortex®-M4 32位RISC核心的超低功耗微控制器,工作频率高达80 MHz。Cortex-M4核心具有浮点单元(FPU)单精度,支持所有Arm®单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一套完整的DSP指令和内存保护单元(MPU),增强了应用程序的安全性。

  STM32L476VGT6嵌入高速存储器(高达1 Mbyte的闪存,高达128 Kbyte的SRAM),用于静态存储器的灵活外部存储器控制器(FSMC)(用于100引脚及以上包的设备),Quad SPI闪存接口(所有包均可用)和广泛的增强I/ o和外设,连接到两个APB总线,两个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。

  STM32L476VGT6为嵌入式闪存和SRAM嵌入了几种保护机制:读出保护、写保护、专有代码读出保护和防火墙。

  STM32L476VGT6提供三个快速12位adc (5 Msps)、两个比较器、两个运算放大器、两个DAC通道、一个内部电压参考缓冲器、一个低功耗RTC、两个通用32位定时器、两个专用于电机控制的16位PWM定时器、七个通用16位定时器和两个16位低功耗定时器。该器件支持四个用于外部sigma delta调制器(DFSDM)的数字滤波器。

STM32L476RCT6 256-KB Flash存储器

  STM32L476RCT6是基于高性能Arm®Cortex®-M4 32位RISC核心的超低功耗微控制器,工作频率高达80 MHz。Cortex-M4核心具有浮点单元(FPU)单精度,支持所有Arm®单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一套完整的DSP指令和内存保护单元(MPU),增强了应用程序的安全性。

  STM32L476RCT6嵌入高速存储器(高达1 Mbyte的闪存,高达128 Kbyte的SRAM),用于静态存储器的灵活外部存储器控制器(FSMC)(用于100引脚及以上包的设备),Quad SPI闪存接口(所有包均可用)和广泛的增强I/ o和外设,连接到两个APB总线,两个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。

  STM32L476RCT6为嵌入式闪存和SRAM嵌入了几种保护机制:读出保护、写保护、专有代码读出保护和防火墙。

  STM32L476RCT6提供三个快速12位adc (5 Msps)、两个比较器、两个运算放大器、两个DAC通道、一个内部电压参考缓冲器、一个低功耗RTC、两个通用32位定时器、两个专用于电机控制的16位PWM定时器、七个通用16位定时器和两个16位低功耗定时器。该器件支持四个用于外部sigma delta调制器(DFSDM)的数字滤波器。

STM32L476RGT6 超低功耗80 Mhz

  STM32L476RGT6是基于高性能Arm®Cortex®-M4 32位RISC核心的超低功耗微控制器,工作频率高达80 MHz。Cortex-M4核心具有浮点单元(FPU)单精度,支持所有Arm®单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一套完整的DSP指令和内存保护单元(MPU),增强了应用程序的安全性。

  STM32L476RGT6嵌入高速存储器(高达1 Mbyte的闪存,高达128 Kbyte的SRAM),用于静态存储器的灵活外部存储器控制器(FSMC)(用于100引脚及以上包的设备),Quad SPI闪存接口(所有包均可用)和广泛的增强I/ o和外设,连接到两个APB总线,两个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。

STM32L431CBT6 超低功耗80 Mhz

  STM32L431CBT6是基于高性能Arm®Cortex®-M4 32位RISC核心的超低功耗微控制器,工作频率高达80 MHz。Cortex-M4核心具有浮点单元(FPU)单精度,支持所有Arm®单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一套完整的DSP指令和内存保护单元(MPU),增强了应用程序的安全性。

  STM32L431CBT6嵌入高速存储器(高达256kbyte的闪存,64kbyte的SRAM), Quad SPI闪存接口(在所有包上可用)和广泛的增强型I/ o和外设,连接到两个APB总线,两个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。

  STM32L431CBT6为嵌入式闪存和SRAM嵌入了几种保护机制:读出保护、写保护、专有代码读出保护和防火墙。

  STM32L431CBT6提供一个快速12位ADC (5 Msps),两个比较器,一个运算放大器,两个DAC通道,一个内部电压参考缓冲器,一个低功耗RTC,一个通用32位定时器,一个专用于电机控制的16位PWM定时器,四个通用16位定时器和两个16位低功耗定时器。

STM32L431CCT6 超低功耗80 Mhz Arm

  STM32L431CCT6是基于高性能Arm®Cortex®-M4 32位RISC核心的超低功耗微控制器,工作频率高达80 MHz。Cortex-M4内核具有浮点单元(FPU)单精度,支持所有Arm®单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个增强应用程序安全性的内存保护单元(MPU)。

  STM32L431CCT6嵌入了高速存储器(高达256 KB的闪存,64 KB的SRAM)、Quad SPI闪存接口(可用于所有封装)以及连接到两条APB总线、两条AHB总线和32位多AHB总线矩阵的大量增强型I/O和外围设备。

  STM32L431CCT6为嵌入式闪存和SRAM嵌入了几种保护机制:读出保护、写入保护、专有代码读出保护和防火墙。

  STM32L431CCT6提供一个快速12位ADC(5 Msps)、两个比较器、一个运算放大器、两个DAC通道、一个内部电压参考缓冲器、一个低功耗RTC、一个通用32位定时器、一个专用于电机控制的16位PWM定时器、四个通用16位定时器和两个16位低功耗定时器。

STM32L431RCT6 Cortex-M4内核

  STM32L431RCT6是基于高性能Arm®Cortex®-M4 32位RISC核心的超低功耗微控制器,工作频率高达80 MHz。Cortex-M4内核具有浮点单元(FPU)单精度,支持所有Arm®单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个增强应用程序安全性的内存保护单元(MPU)。STM32L431RCT6嵌入了高速存储器(高达256 KB的闪存,64 KB的SRAM)、Quad SPI闪存接口(可用于所有封装)以及连接到两条APB总线、两条AHB总线和32位多AHB总线矩阵的大量增强型I/O和外围设备。

  STM32L431RCT6为嵌入式闪存和SRAM嵌入了几种保护机制:读出保护、写入保护、专有代码读出保护和防火墙。STM32L431RCT6提供一个快速12位ADC(5 Msps)、两个比较器、一个运算放大器、两个DAC通道、一个内部电压参考缓冲器、一个低功耗RTC、一个通用32位定时器、一个专用于电机控制的16位PWM定时器、四个通用16位定时器和两个16位低功耗定时器。

STM32L412CBT6 12位ADC(5 Msps)

  STM32L412CBT6采用高性能Arm®Cortex®-M4 32位RISC核心的超低功耗微控制器,工作频率高达80 MHz。Cortex-M4内核具有浮点单元(FPU)单精度,支持所有Arm®单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个增强应用程序安全性的内存保护单元(MPU)。 STM32L412CBT6嵌入了高速存储器(高达128 KB的闪存,40 KB的SRAM)、Quad SPI闪存接口(可用于所有封装)以及连接到两条APB总线、两条AHB总线和32位多AHB总线矩阵的大量增强型I/O和外围设备。

  STM32L412CBT6为嵌入式闪存和SRAM嵌入了几种保护机制:读出保护、写入保护、专有代码读出保护和防火墙。STM32L412CBT6提供两个快速12位ADC(5 Msps)、两个比较器、一个运算放大器、一个低功耗RTC、一个通用32位定时器、一个专用于电机控制的16位PWM定时器、四个通用16位定时器和两个16位低功耗定时器。此外,最多可提供12个电容感测通道。STM32L412CBT6还具有标准和高级通信接口,即三个I2C、两个SPI、三个USART和一个低功耗UART、一个USB全速无晶体设备。

STM32L412TBY6TR 128-KB Flash

  STM32L412TBY6TR采用高性能Arm®Cortex®-M4 32位RISC核心的超低功耗微控制器,工作频率高达80 MHz。Cortex-M4内核具有浮点单元(FPU)单精度,支持所有Arm®单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个增强应用程序安全性的内存保护单元(MPU)。

  STM32L412TBY6TR嵌入了高速存储器(高达128 KB的闪存,40 KB的SRAM)、Quad SPI闪存接口(可用于所有封装)以及连接到两条APB总线、两条AHB总线和32位多AHB总线矩阵的大量增强型I/O和外围设备。

  STM32L412TBY6TR为嵌入式闪存和SRAM嵌入了几种保护机制:读出保护、写入保护、专有代码读出保护和防火墙。

  STM32L412TBY6TR提供两个快速12位ADC(5 Msps)、两个比较器、一个运算放大器、一个低功耗RTC、一个通用32位定时器、一个专用于电机控制的16位PWM定时器、四个通用16位定时器和两个16位低功耗定时器。此外,最多可提供12个电容感测通道。 STM32L412TBY6TR还具有标准和高级通信接口,即三个I2C、两个SPI、三个USART和一个低功耗UART、一个USB全速无晶体设备。

STM32L431CCU6 32位RISC

  STM32L431CCU6采用高性能Arm®Cortex®-M4 32位RISC核心的超低功耗微控制器,工作频率高达80 MHz。Cortex-M4内核具有浮点单元(FPU)单精度,支持所有Arm®单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个增强应用程序安全性的内存保护单元(MPU)。

  STM32L431CCU6嵌入了高速存储器(高达256 KB的闪存,64 KB的SRAM)、Quad SPI闪存接口(可用于所有封装)以及连接到两条APB总线、两条AHB总线和32位多AHB总线矩阵的大量增强型I/O和外围设备。STM32L431CCU6为嵌入式闪存和SRAM嵌入了几种保护机制:读出保护、写入保护、专有代码读出保护和防火墙。

  STM32L431CCU6提供一个快速12位ADC(5 Msps)、两个比较器、一个运算放大器、两个DAC通道、一个内部电压参考缓冲器、一个低功耗RTC、一个通用32位定时器、一个专用于电机控制的16位PWM定时器、四个通用16位定时器和两个16位低功耗定时器。  此外,最多可提供21个电容感测通道,它们还具有标准和高级通信接口。

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