UCC5350SBD是单通道隔离式栅极驱动器，用于驱动 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN FET (UCC5350SBD)。UCC5350SBD提供分离输出，可分别控制上升和下降时间。将晶体管的栅极连接到内部钳位，以防止米勒电流造成假接通。UCC5350SBD的UVLO2以GND2为基准，以获取真实的 UVLO 读数。

　　UCC5350SBD采用4mm SOIC-8 (D)或8.5mm SOIC-8 (DWV)封装，可分别支持高达 3kVRMS 和 5kVRMS 的隔离电压。凭借这些各种不同的选项，UCC53x0 系列非常适合电机驱动器和工业电源。

　　UCC5350SBDR是单通道隔离式栅极驱动器，用于驱动 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN FET (UCC5350SBD)。UCC5350SBDR提供分离输出，可分别控制上升和下降时间。将晶体管的栅极连接到内部钳位，以防止米勒电流造成假接通。UCC5350SBDR的UVLO2以GND2为基准，以获取真实的 UVLO 读数。

　　UCC5350SBDR采用4mm SOIC-8 (D)或8.5mm SOIC-8 (DWV)封装，可分别支持高达 3kVRMS 和 5kVRMS 的隔离电压。凭借这些各种不同的选项，UCC53x0 系列非常适合电机驱动器和工业电源。

　　UCC5390SCDR是单通道隔离式栅极驱动器，用于驱动 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN FET (UCC5350SBD)。提供分离输出，可分别控制上升和下降时间。UCC5390SCDR将晶体管的栅极连接到内部钳位，以防止米勒电流造成假接通。UCC5390SCDR的UVLO2以GND2为基准，以获取真实的UVLO读数。

　　UCC5390SCDR采用4mm SOIC-8 (D)或8.5mm SOIC-8 (DWV)封装，可分别支持高达 3kVRMS和5kVRMS的隔离电压。凭借这些各种不同的选项，UCC5390SCDR非常适合电机驱动器和工业电源。与光耦合器相比，UCC5390SCDR的部件间偏移更低，传播延迟更小，工作温度更高，并且 CMTI 更高。