L6206Q器件是DMOS双全桥驱动器,专为电机控制应用而设计,使用BCD多功率技术开发,该技术将隔离的DMOS功率晶体管与CMOS和双极电路结合在同一芯片上。L6206Q器件采用VFQFPN48
7 x 7封装,具有热关机和高侧功率MOSFET上的非耗散过电流检测功能,以及可轻松用于实施过电流保护的诊断输出。
L6206QTR是DMOS双全桥驱动器,专为电机控制应用而设计,使用BCD多功率技术开发,该技术将隔离的DMOS功率晶体管与CMOS和双极电路结合在同一芯片上。L6206QTR采用VFQFPN48
7 x 7封装,具有热关机和高侧功率MOSFET上的非耗散过电流检测功能,以及可轻松用于实施过电流保护的诊断输出。