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2ED05是一个600 v半桥门驱动器家族。其英飞凌薄膜soi技术提供了出色的坚固性和抗干扰性。施密特触发逻辑输入兼容标准CMOS或低至3.3 V的LSTTL逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计用于最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置的n通道功率MOSFET或IGBT,其工作电压可达600v。此外,离线夹紧功能提供了一个固有的保护寄生开关由浮栅条件时,IC不提供。
2EDL05N06PF是一个600 v半桥门驱动器家族。其英飞凌薄膜soi技术提供了出色的坚固性和抗干扰性。施密特触发逻辑输入兼容标准CMOS或低至3.3 V的LSTTL逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计用于最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置的n通道功率MOSFET或IGBT,其工作电压可达600v。此外,离线夹紧功能提供了一个固有的保护寄生开关由浮栅条件时,IC不提供。
2EDL05I06PF是一个600 v半桥门驱动器家族。其英飞凌薄膜soi技术提供了出色的坚固性和抗干扰性。施密特触发逻辑输入兼容标准CMOS或低至3.3 V的LSTTL逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计用于最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置的n通道功率MOSFET或IGBT,其工作电压可达600v。此外,离线夹紧功能提供了一个固有的保护寄生开关由浮栅条件时,IC不提供。