STM32F103RDT6性能线系列集成了高性能ARM®Cortex®-M3 32位RISC核心，工作频率为72 MHz，高速嵌入式存储器(闪存高达512 Kbytes, SRAM高达64 Kbytes)，以及广泛的增强I/ o和连接到两个APB总线的外设。所有设备都提供三个12位adc，四个通用16位定时器和两个PWM定时器，以及标准和高级通信接口:最多两个i2c，三个spi，两个i2s，一个SDIO，五个usart，一个USB和一个CAN。

　　STM32F103RDT6高密度性能线系列工作在-40到+105°C的温度范围内，从2.0到3.6 V电源。一套全面的省电模式允许设计低功耗应用。

　　STM32F103ZCT6性能线系列集成了高性能Arm®Cortex®-M3 32位RISC核心，工作频率为72 MHz，高速嵌入式存储器(闪存高达512 Kbytes, SRAM高达64 Kbytes)，以及广泛的增强型I/ o和连接到两个APB总线的外设。所有器件都提供三个12位adc，四个通用16位定时器和两个PWM定时器，以及标准和高级通信接口:最多两个i2c，三个spi，两个i2s，一个SDIO，五个usart，一个USB和一个CAN。

　　STM32F103ZCT6高密度性能线系列工作在-40到+105°C的温度范围内，从2.0到3.6 V电源。一套全面的省电模式允许设计低功耗应用。这些功能使得STM32F103ZCT6高密度性能线微控制器系列适用于广泛的应用，如电机驱动，应用控制，医疗和手持设备，PC和游戏外围设备，GPS平台，工业应用，plc，逆变器，打印机，扫描仪，报警系统视频对讲机和HVAC。

　　STM32F103VGT6性能线系列集成了高性能ARM®Cortex®-M3 32位RISC核心，工作频率为72 MHz，高速嵌入式存储器(高达1 Mbyte的闪存和高达96 Kbytes的SRAM)，以及广泛的增强型I/ o和连接到两个APB总线的外设。所有器件都提供3个12位adc, 10个通用16位定时器和2个PWM定时器，以及标准和高级通信接口:最多2个i2c, 3个spi, 2个i2s, 1个SDIO, 5个usart，一个USB和一个CAN。

　　STM32F103VGT6密度性能线系列工作在-40至+105°C的温度范围内，从2.0至3.6 V电源。一套全面的省电模式允许设计低功耗应用。

　　STM32F103T8U6中密度性能线系列包含高性能ARM®Cortex®-M3 32位RISC内核，工作频率为72 MHz，高速嵌入式存储器(闪存高达128 KB，SRAM高达20 KB)，以及连接到两条APB总线的大量增强型I/O和外围设备。所有设备都提供两个12位ADC、三个通用16位定时器和一个PWM定时器，以及标准和高级通信接口：最多两个I2C和SPI、三个USART、一个USB和一个CAN。

　　STM32F103T8U6的工作电压为2.0至3.6 V。它们可在-40至+85°C温度范围和-40至+105°C扩展温度范围内使用。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。

　　STM32F103T8U6中密度性能线系列包括六种不同封装类型的器件：从36引脚到100引脚。根据所选择的设备，包括不同的外围设备集，下面的描述概述了该系列中建议的完整外围设备。

　　STM32F103R8T6中密度性能线系列包含高性能ARM®Cortex®-M3 32位RISC内核，工作频率为72 MHz，高速嵌入式存储器(闪存高达128 KB，SRAM高达20 KB)，以及连接到两条APB总线的大量增强型I/O和外围设备。所有设备都提供两个12位ADC、三个通用16位定时器和一个PWM定时器，以及标准和高级通信接口：最多两个I2C和SPI、三个USART、一个USB和一个CAN。

　　STM32F103R8T6的工作电压为2.0至3.6 V。它们可在-40至+85°C温度范围和-40至+105°C扩展温度范围内使用。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。

　　STM32F103R8T6中密度性能线系列包括六种不同封装类型的器件：从36引脚到100引脚。根据所选择的设备，包括不同的外围设备集，下面的描述概述了该系列中建议的完整外围设备。

　　STM32F103RFT6性能系列包含高性能ARM®Cortex®-M3 32位RISC内核，工作频率为72 MHz，高速嵌入式存储器(闪存高达1 Mbyte，SRAM高达96 Kbyte)，以及连接到两条APB总线的大量增强型I/O和外围设备。STM32F103RFT6提供三个12位ADC、十个通用16位定时器和两个PWM定时器，以及标准和高级通信接口：最多两个I2C、三个SPI、两个I2S、一个SDIO、五个USART、一个USB和一个CAN。

　　STM32F103RFT6密度性能线系列在-40至+105°C的温度范围内工作，电源电压为2.0至3.6 V。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。

　　STM32F103RET6性能系列包含高性能ARM®Cortex®-M3 32位RISC内核，工作频率为72 MHz，高速嵌入式存储器(闪存可达512 KB，SRAM可达64 KB)，以及连接到两条APB总线的广泛增强型I/O和外设。所有设备都提供三个12位ADC、四个通用16位定时器和两个PWM定时器，以及标准和高级通信接口：最多两个I2C、三个SPI、两个I2S、一个SDIO、五个USART、一个USB和一个CAN。

　　STM32F103RET6高密度性能线系列在–40至+105°C的温度范围内工作，电源为2.0至3.6 V。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。

　　STM32F103VCT6性能线系列包含高性能ARM®Cortex®-M3 32位RISC内核，工作频率为72 MHz，高速嵌入式存储器(闪存可达512 KB，SRAM可达64 KB)，以及连接到两条APB总线的各种增强型I/O和外围设备。所有设备都提供三个12位ADC、四个通用16位定时器和两个PWM定时器，以及标准和高级通信接口：最多两个I2C、三个SPI、两个I2S、一个SDIO、五个USART、一个USB和一个CAN。

　　STM32F103VCT6高密度性能线系列在–40至+105°C的温度范围内工作，电源为2.0至3.6 V。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。

　　STM32F103ZET6, STM32F103xD和STM32F103xE性能线系列包含高性能ARM®Cortex®-M3 32位RISC核心，工作在72mhz频率，高速嵌入式内存(Flash内存高达512kbytes和SRAM高达64kbytes)，以及广泛的增强I/ o和外设连接到两个APB总线。所有设备提供3个12位adc, 4个通用16位定时器加上2个PWM定时器，以及标准和先进的通信接口:多达2个i2c, 3个spi, 2个I2Ss, 1个SDIO, 5个USARTs, 1个USB和1个CAN。STM32F103ZET6/D/E高密度性能线系列工作在-40到+105°C的温度范围内，2.0到3.6 V电源。一套全面的节电模式，允许设计低功耗应用。

　　这些特点使STM32F103ZET6/D/E高密度性能线微控制器系列适用于广泛的应用，如电机驱动，应用控制，医疗和手持设备，PC和游戏外设，GPS平台，工业应用，plc，逆变器，打印机，扫描仪，报警系统视频对讲，和暖通空调。

　　STM32F103VET6性能线系列包含高性能ARM®Cortex®-M3 32位RISC核心，工作在72mhz频率，高速嵌入式内存(Flash内存高达512kbytes和SRAM高达64kbytes)，以及广泛的增强I/ o和外设连接到两个APB总线。所有设备提供3个12位adc, 4个通用16位定时器加上2个PWM定时器，以及标准和先进的通信接口:多达2个i2c, 3个spi, 2个I2Ss, 1个SDIO, 5个USARTs, 1个USB和1个CAN。STM32F103VET6高密度性能线系列工作在-40到+105°C的温度范围内，2.0到3.6 V电源。一套全面的节电模式，允许设计低功耗应用。

　　这些特点使STM32F103VET6高密度性能线微控制器系列适用于广泛的应用，如电机驱动，应用控制，医疗和手持设备，PC和游戏外设，GPS平台，工业应用，plc，逆变器，打印机，扫描仪，报警系统视频对讲，和暖通空调。