IR2110PBF是高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术使坚固的整体结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小的驱动器交叉传导。传播延迟匹配，以简化在高频应用中的使用。浮动通道可用于驱动高侧配置的n通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压可达500或600伏。

　　IR2109SPBF是高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术使坚固的整体结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高IR21094 IR2109包IR2109(4) (S)和(PbF)数据表编号。

　　IR2104PBF是高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术使坚固的整体结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置的n通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压为10至600伏。

　　IR2103STRPBF是高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术使坚固的整体结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置的n通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压可达600伏。

　　2ED21844S06JXUMA1是一种半桥式高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。基于英飞凌的soi技术，在VS引脚(VCC = 15 V)的瞬态电压下，具有优异的坚固性和抗噪性，能够在负电压高达- 11 VDC的情况下保持运行逻辑。器件中没有任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁存。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置的n通道功率MOSFET, SiC MOSFET或IGBT，其工作电压可达650v。

　　2ED2183S06FXUMA1是一种半桥式高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高低侧参考输出通道。基于英飞凌的soi技术，在VS引脚(VCC = 15 V)的瞬态电压下，具有优异的坚固性和抗噪性，能够在负电压高达- 11 VDC的情况下保持运行逻辑。器件中没有任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁存。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置的n通道功率MOSFET, SiC MOSFET或IGBT，其工作电压可达650v。

　　2ED2182S06FXUMA1是一种半桥式高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高低侧参考输出通道。基于英飞凌的soi技术，在VS引脚(VCC = 15 V)的瞬态电压下，具有优异的坚固性和抗噪性，能够在负电压高达- 11 VDC的情况下保持运行逻辑。器件中没有任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁存。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置的n通道功率MOSFET, SiC MOSFET或IGBT，其工作电压可达650v。

　　2ED2181S06F是一种高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。基于英飞凌的soi技术，在VS引脚(VCC = 15 V)的瞬态电压下，具有优异的坚固性和抗噪性，能够在负电压高达- 11 VDC的情况下保持运行逻辑。器件中没有任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁存。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置的n通道功率MOSFET, SiC MOSFET或IGBT，其工作电压可达650v。