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WINBOND华邦电子成立于1987年9月,总部座落于台湾中部科学园,是全球半导体存储解决方案领导厂商,WINBOND华邦主要业务包含产品设计、技术研发、晶圆制造、营销及售后服务,提供客户全方位的利基型内存解决方案。WINBOND华邦核心产品包含编码型闪存(Code Storage Flash Memory)、TrustME® 安全闪存、利基型内存(Specialty DRAM)及行动内存(Mobile DRAM),WINBOND华邦电子是台湾唯一同时具备DRAM和Flash自有开发技术的厂商。

W25Q128JVSIQ串行NOR闪存

W25Q128JVSIQ串行NOR闪存是一种128M位存储解决方案,专为空间、引脚和电源要求有限的系统设计。与普通串行闪存设备相比,它提供了卓越的灵活性和性能,是将代码隐藏到RAM、直接从双/四SPI(XIP)执行代码以及存储语音、文本和数据的理想选择。

W25Q128JWSIQ是128M位串行闪存

W25Q128JWSIQ是128M位串行闪存,旨在为空间、引脚和电源要求有限的系统提供存储解决方案。作为25Q系列的一部分,它提供了超出普通串行闪存设备的灵活性和性能,是将代码隐藏到RAM、直接从双/四SPI(XIP)执行代码以及存储语音、文本和数据的理想选择。

W25Q16JVSSIQ串行闪存

W25Q16JVSSIQ16M位串行闪存产品是一种创新的存储解决方案,适用于空间、引脚和电源有限的系统。该串行NOR闪存设备属于25Q系列,通过提供强大的灵活性和性能,其性能优于标准闪存设备。

W25Q256FVEIG串行闪存为空间

W25Q256FVEIG(256M位)串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。25Q系列提供了远远超出普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合将代码隐藏到RAM,直接从双/四SPI(XIP)执行代码,并存储语音、文本和数据。该设备在单个2.7V至3.6V电源上运行,活动电流消耗低至4mA,断电时低至1pA。

W25Q256JVEIQ双/四路SPI

W25Q256JVEIQ是由Winbond开发的256M位串行NOR闪存,旨在为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。这款创新设备是25Q系列的一部分,其灵活性和性能超过了普通串行闪存设备。W25Q256JV是将代码隐藏到RAM、从双/四路SPI(XIP)执行代码以及存储语音、文本和数据的理想选择,它在单个2.7V至3.6V电源上运行,断电时电流消耗低至1μa。

W25Q32JVSSIQ属于25Q系列

W25Q32JVSSIQ是由Winbond开发的32M位串行NOR闪存设备,为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。它属于25Q系列,提供了远远超出普通串行闪存设备的灵活性和性能。

W25Q64JVSSIQ串行NOR闪存设备

W25Q64JVSSIQ是由Winbond开发的64M位串行NOR闪存设备,为空间、引脚和电源要求有限的系统提供存储解决方案。这种高性能设备非常适合应用程序,如RAM的代码阴影、直接从双/四SPI(XIP)执行代码以及存储语音、文本和数据。

W25Q64JVSSIQ串行NOR闪存

W25Q64JVSSIQ是由Winbond开发的64M位串行NOR闪存设备,为空间、引脚和电源要求有限的系统提供存储解决方案。这种高性能设备非常适合应用程序,如RAM的代码阴影、直接从双/四SPI(XIP)执行代码以及存储语音、文本和数据。

W29N02GVSIAA(2G位)NAND闪存

W29N02GVSIAA(2G位)NAND闪存为空间、引脚和电源有限的嵌入式系统提供了存储解决方案。它非常适合将代码隐藏到RAM、固态应用程序和存储媒体数据,如语音、视频、文本和照片。该设备在2.7V至3.6V的单一电源上工作,在3V和10uA的CMOS待机电流下,有源电流消耗低至25mA。存储器阵列总计276824064个字节,并被组织成135168个字节的2048个可擦除块。

W9825G6KH-6I高速同步动态随机存取存储器

W9825G6KH-6I是一种高速同步动态随机存取存储器(SDRAM),组织为4M个字x4个存储体x16位。W9825G6KH可提供高达每秒200M字的数据带宽。为了完全符合个人计算机行业标准。

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