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W29N02GVSIAA(2G位)NAND闪存为空间、引脚和电源有限的嵌入式系统提供了存储解决方案。它非常适合将代码隐藏到RAM、固态应用程序和存储媒体数据,如语音、视频、文本和照片。该设备在2.7V至3.6V的单一电源上工作,在3V和10uA的CMOS待机电流下,有源电流消耗低至25mA。存储器阵列总计276824064个字节,并被组织成135168个字节的2048个可擦除块。
商品分类 | EEPROM | 品牌 | WINBOND(华邦) |
封装 | TSOP48_12X18.4MM | 包装 | 整包装 |
存储器类型 | 非易失 | 存储器格式 | 闪存 |
技术 | FLASH-NAND(SLC) | 存储容量 | 2Gb |
存储器组织 | 256Mx8 | 存储器接口 | 并联 |
时钟频率 | - | 写周期时间-字,页 | 25ns |
访问时间 | 25ns | 电压-供电 | 2.7V~3.6V |
封装/外壳 | 48-TFSOP(0.724",18.40mm宽) | 供应商器件封装 | 48-TSOP |
W29N02GVSIAA原理图
W29N02GVSIAA引脚图
W29N02GVSIAA封装
WINBOND华邦电子成立于1987年9月,总部座落于台湾中部科学园,是全球半导体存储解决方案领导厂商,WINBOND华邦主要业务包含产品设计、技术研发、晶圆制造、营销及售后服务,提供客户全方位的利基型内存解决方案。WINBOND华邦核心产品包含编码型闪存(Code Storage Flash Memory)、TrustME® 安全闪存、利基型内存(Specialty DRAM)及行动内存(Mobile DRAM),WINBOND华邦电子是台湾唯一同时具备DRAM和Flash自有开发技术的厂商。