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17

W29N02GVSIAA(2G位)NAND闪存

基础介绍

W29N02GVSIAA
        厂商型号:W29N02GVSIAA
  品牌名称:WINBOND(华邦)
  元件类别:EEPROM
  封装规格:TSOP48_12X18.4MM

产品描述

W29N02GVSIAA(2G位)NAND闪存为空间、引脚和电源有限的嵌入式系统提供了存储解决方案。它非常适合将代码隐藏到RAM、固态应用程序和存储媒体数据,如语音、视频、文本和照片。该设备在2.7V至3.6V的单一电源上工作,在3V和10uA的CMOS待机电流下,有源电流消耗低至25mA。存储器阵列总计276824064个字节,并被组织成135168个字节的2048个可擦除块。

中文参数

商品分类EEPROM品牌WINBOND(华邦)
封装TSOP48_12X18.4MM包装整包装
存储器类型非易失存储器格式闪存
技术FLASH-NAND(SLC)存储容量2Gb
存储器组织256Mx8存储器接口并联
时钟频率-写周期时间-字,页25ns
访问时间25ns电压-供电2.7V~3.6V
封装/外壳48-TFSOP(0.724",18.40mm宽)供应商器件封装48-TSOP

原理图

W29N02GVSIAA原理图

W29N02GVSIAA原理图

引脚图

W29N02GVSIAA原理图

W29N02GVSIAA引脚图

封装

W29N02GVSIAA封装图

W29N02GVSIAA封装

产品制造商介绍

WINBOND华邦电子成立于1987年9月,总部座落于台湾中部科学园,是全球半导体存储解决方案领导厂商,WINBOND华邦主要业务包含产品设计、技术研发、晶圆制造、营销及售后服务,提供客户全方位的利基型内存解决方案。WINBOND华邦核心产品包含编码型闪存(Code Storage Flash Memory)、TrustME® 安全闪存、利基型内存(Specialty DRAM)及行动内存(Mobile DRAM),WINBOND华邦电子是台湾唯一同时具备DRAM和Flash自有开发技术的厂商。

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