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W29N02GV系列（2G位）NAND闪存为空间、引脚和电源有限的嵌入式系统提供了存储解决方案。它非常适合将代码隐藏到RAM、固态应用程序和存储媒体数据，如语音、视频、文本和照片。该设备在2.7V至3.6V的单一电源上工作，在3V和10uA的CMOS待机电流下，有源电流消耗低至25mA。存储器阵列总计276824064个字节，并被组织成135168个字节的2048个可擦除块。每个块由64个可编程页组成，每个可编程页有2112个字节。每页包括2048字节的主数据存储区和64字节的备用数据区（备用区通常用于错误管理功能）。
W29N02GVSIAA（2G位）NAND闪存为空间、引脚和电源有限的嵌入式系统提供了存储解决方案。它非常适合将代码隐藏到RAM、固态应用程序和存储媒体数据，如语音、视频、文本和照片。该设备在2.7V至3.6V的单一电源上工作，在3V和10uA的CMOS待机电流下，有源电流消耗低至25mA。存储器阵列总计276824064个字节，并被组织成135168个字节的2048个可擦除块。
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