6N137M单沟道，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/µs。

BAS16XV2T1G开关二极管是为高速开关应用而设计的。

NSVBAT54HT1G肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

LM358DR2G双路运算放大器使用适用于四路运算放大器的电路设计，具有低功率泄漏、扩展至接地/VEE 的共模输入电压范围以及单电源或分割电源运行。LM358 系列相当于 LM324 的一半。此类器件与单电源应用中的标准运算放大器类型相比，具有若干不同的优点。

LM393DR2G为双独立精确电压比较器，能够实现单个或分割电源运行。此类器件允许单电源运行下的共模范围扩展至接地水平。此器件的输入偏移电压规格低至 2.0 mV，因此成为消费汽车和工业电子元件中很多应用的绝佳选择。

LV8728MR-AH是一款 PWM 电流控制微步双极步进电机驱动器。此驱动器可以执行八种微步分辨率方式，半步、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128、1/10、1/20 步，仅通过步进输入即可驱动。

MBR0520LT1G肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用势垒金属，可产生优化的正向压降和反向电流平衡。这款器件适用于低电压、高频率整流，或注重紧凑尺寸和重量的续流和极性保护二极管的表面贴装应用。封装方式还可选则无引线34MELF 封装。

MBRD1045T4G该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用金属-硅功率整流器。它具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。

MBRS540T3G肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该肖特基整流器适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

MC1413BDR2G是阵列中的七个 NPN 达灵顿联接晶体管非常适用于驱动各种工业和消费应用中的灯、继电器或打印字锤。其高击穿电压和内部抑制二极管可确保电感负载不会出现问题。最高 500 mA 的峰值涌入电流使其能够驱动白炽灯。