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IRS2186S系列是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术实现了加固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTL输出兼容，低至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小驱动器交叉传导。浮动沟道可用于驱动高侧配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达600V。
IRS2186STRPBF是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术实现了加固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTL输出兼容，低至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小驱动器交叉传导。浮动沟道可用于驱动高侧配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达600V。
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