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IRS2186STRPBF是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术实现了加固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTL输出兼容,低至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计用于最小驱动器交叉传导。浮动沟道可用于驱动高侧配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT,其工作电压高达600V。
●专为自举操作设计的浮动通道
●完全运行时的电压高达 600V
●容许负瞬态电压,不受 dV/dt 影响
●栅极驱动电源范围:10 V 至 20V
●双通道欠压锁定
●3.3V 和 5 V 输入逻辑兼容
●双通道的匹配传播延迟
●逻辑和电源接地 +/- 5 V 偏移
●较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性
●输出拉/灌电流能力为 4 A/4 A
商品分类 | 栅极驱动IC | 品牌 | Infineon(英飞凌) |
封装 | SO8N | 包装 | 圆盘 |
电压-供电 | 10V~20V | 工作温度 | -40℃~150℃(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 基本产品编号 | IRS2186 |
HTSUS | 8542.39.0001 | 驱动配置 | 高压侧或低压侧 |
通道类型 | 独立式 | 驱动器数 | 2 |
栅极类型 | IGBT,N沟道MOSFET | 逻辑电压-VIL,VIH | 0.8V,2.5V |
电流-峰值输出(灌入,拉出) | 4A,4A | 输入类型 | 非反相 |
上升/下降时间(典型值) | 22ns,18ns | 高压侧电压-最大值(自举) | 600V |
产品应用 | 汽车级 |
RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | 湿气敏感性等级(MSL) | 2(1年) |
REACH状态 | 非REACH产品 | ECCN | EAR99 |
IRS2186STRPBF原理图
IRS2186STRPBF引脚图
IRS2186STRPBF封装
英飞凌(infineontechnologies),简称英飞凌,总部位于德国neubiberg,Infineon(英飞凌)是全球十大半导体供应商。Infineon(英飞凌)全球有名员工,个研发中心,座制造基地,还有汽车电子、电源管理及驱动等领域。Infineon(英飞凌)专注于迎接现代社会的三大科技挑战领域——高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。Infineon(英飞凌)2020全球汽车半导体市场占率的第一名,2020年汽车半导体约3500亿美元市场规模,市场占有率超过了13%。Infineon(英飞凌)公司拥有汽车半导体最广泛的产品组合,包括传感器、各种层级的MCU、Power等。Infineon(英飞凌)打造系统级解决方案,应该能满足车身上所有的基本需求,像车身、动力总成等。