STM32F205RET6基于高性能Arm®Cortex®-M3 32位RISC核心，工作频率高达120 MHz。该系列集成了高速嵌入式存储器(高达1mbyte的闪存，高达128kbytes的系统SRAM)，高达4kbytes的备份SRAM，以及广泛的增强型I/ o和外设，连接到两个APB总线，三个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。

　　STM32F205RET6还具有自适应实时内存加速器(ART accelerator™)，允许在最高120 MHz的CPU频率下从闪存中实现相当于0等待状态程序执行的性能。该性能已通过CoreMark®基准测试验证。

　　STM32F205RET6提供三个12位adc，两个dac，一个低功耗RTC，十二个通用的16位定时器，包括两个用于电机控制的PWM定时器，两个通用的32位定时器。真数随机发生器(RNG)。它们还具有标准和先进的通信接口。新的高级外设包括SDIO、增强的灵活静态内存控制(FSMC)接口(适用于100引脚或更多封装的设备)和CMOS传感器的摄像头接口。这些设备还配备了标准外设。

　　STM32F207VGT6基于高性能Arm®Cortex®-M3 32位RISC核心，工作频率高达120 MHz。该系列集成了高速嵌入式存储器(高达1mbyte的闪存，高达128kbytes的系统SRAM)，高达4kbytes的备份SRAM，以及广泛的增强型I/ o和外设，连接到两个APB总线，三个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。

　　STM32F207VGT6还具有自适应实时内存加速器(ART accelerator™)，允许在最高120 MHz的CPU频率下从闪存中实现相当于0等待状态程序执行的性能。该性能已通过CoreMark®基准测试验证。

　　STM32F207VGT6提供三个12位adc，两个dac，一个低功耗RTC，十二个通用的16位定时器，包括两个用于电机控制的PWM定时器，两个通用的32位定时器。真数随机发生器(RNG)。它们还具有标准和先进的通信接口。新的高级外设包括SDIO、增强的灵活静态内存控制(FSMC)接口(适用于100引脚或更多封装的设备)和CMOS传感器的摄像头接口。这些设备还配备了标准外设。

　　STM32F205RCT6基于高性能Arm®Cortex®-M3 32位RISC核心，工作频率高达120 MHz。该系列集成了高速嵌入式存储器(高达1mbyte的闪存，高达128kbytes的系统SRAM)，高达4kbytes的备份SRAM，以及广泛的增强型I/ o和外设，连接到两个APB总线，三个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。

　　STM32F205RCT6还具有自适应实时内存加速器(ART accelerator™)，允许在最高120 MHz的CPU频率下从闪存中实现相当于0等待状态程序执行的性能。该性能已通过CoreMark®基准测试验证。

　　STM32F205RCT6提供三个12位adc，两个dac，一个低功耗RTC，十二个通用的16位定时器，包括两个用于电机控制的PWM定时器，两个通用的32位定时器。真数随机发生器(RNG)。它们还具有标准和先进的通信接口。新的高级外设包括SDIO、增强的灵活静态内存控制(FSMC)接口(适用于100引脚或更多封装的设备)和CMOS传感器的摄像头接口。这些设备还配备了标准外设。

　　STM32F207VCT6基于高性能Arm®Cortex®-M3 32位RISC核心，工作频率高达120 MHz。该系列集成了高速嵌入式存储器(高达1mbyte的闪存，高达128kbytes的系统SRAM)，高达4kbytes的备份SRAM，以及广泛的增强型I/ o和外设，连接到两个APB总线，三个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。

　　STM32F207VCT6还具有自适应实时内存加速器(ART accelerator™)，允许在最高120 MHz的CPU频率下从闪存中实现相当于0等待状态程序执行的性能。该性能已通过CoreMark®基准测试验证。

　　STM32F207VCT6提供三个12位adc，两个dac，一个低功耗RTC，十二个通用的16位定时器，包括两个用于电机控制的PWM定时器，两个通用的32位定时器。真数随机发生器(RNG)。它们还具有标准和先进的通信接口。新的高级外设包括SDIO、增强的灵活静态内存控制(FSMC)接口(适用于100引脚或更多封装的设备)和CMOS传感器的摄像头接口。 

　　STM32F207ZET6基于高性能Arm®Cortex®-M3 32位RISC核心，工作频率高达120 MHz。该系列集成了高速嵌入式存储器(高达1mbyte的闪存，高达128kbytes的系统SRAM)，高达4kbytes的备份SRAM，以及广泛的增强型I/ o和外设，连接到两个APB总线，三个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。

　　STM32F207ZET6还具有自适应实时内存加速器(ART accelerator™)，允许在最高120 MHz的CPU频率下从闪存中实现相当于0等待状态程序执行的性能。该性能已通过CoreMark®基准测试验证。

　　STM32F207ZET6提供三个12位adc，两个dac，一个低功耗RTC，十二个通用的16位定时器，包括两个用于电机控制的PWM定时器，两个通用的32位定时器。真数随机发生器(RNG)。它们还具有标准和先进的通信接口。新的高级外设包括SDIO、增强的灵活静态内存控制(FSMC)接口(适用于100引脚或更多封装的设备)和CMOS传感器的摄像头接口。这些设备还配备了标准外设。

　　STM32F205VET6基于高性能Arm®Cortex®-M3 32位RISC核心，工作频率高达120 MHz。该系列集成了高速嵌入式存储器(高达1mbyte的闪存，高达128kbytes的系统SRAM)，高达4kbytes的备份SRAM，以及广泛的增强型I/ o和外设，连接到两个APB总线，三个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。

　　STM32F205VET6还具有自适应实时内存加速器(ART accelerator™)，允许在最高120 MHz的CPU频率下从闪存中实现相当于0等待状态程序执行的性能。该性能已通过CoreMark®基准测试验证。

　　STM32F205VET6提供三个12位adc，两个dac，一个低功耗RTC，十二个通用的16位定时器，包括两个用于电机控制的PWM定时器，两个通用的32位定时器。真数随机发生器(RNG)。它们还具有标准和先进的通信接口。新的高级外设包括SDIO、增强的灵活静态内存控制(FSMC)接口(适用于100引脚或更多封装的设备)和CMOS传感器的摄像头接口。这些设备还配备了标准外设。

　　STM32F207VET6基于高性能Arm®Cortex®-M3 32位RISC核心，工作频率高达120 MHz。该系列集成了高速嵌入式存储器(高达1mbyte的闪存，高达128kbytes的系统SRAM)，高达4kbytes的备份SRAM，以及广泛的增强型I/ o和外设，连接到两个APB总线，三个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。

　　STM32F207VET6还具有自适应实时内存加速器(ART accelerator™)，允许在最高120 MHz的CPU频率下从闪存中实现相当于0等待状态程序执行的性能。该性能已通过CoreMark®基准测试验证。

　　STM32F207VET6提供三个12位adc，两个dac，一个低功耗RTC，十二个通用的16位定时器，包括两个用于电机控制的PWM定时器，两个通用的32位定时器。真数随机发生器(RNG)。它们还具有标准和先进的通信接口。新的高级外设包括SDIO、增强的灵活静态内存控制(FSMC)接口(适用于100引脚或更多封装的设备)和CMOS传感器的摄像头接口。这些设备还配备了标准外设。

　　STM32F205VGT6基于高性能Arm®Cortex®-M3 32位RISC核心，工作频率高达120 MHz。STM32F205VGT6集成了高速嵌入式存储器(高达1mbyte的闪存，高达128kbytes的系统SRAM)，高达4kbytes的备份SRAM，以及广泛的增强型I/ o和外设，连接到两个APB总线，三个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。

　　STM32F205VGT6还具有自适应实时内存加速器(ART accelerator™)，允许在最高120 MHz的CPU频率下从闪存中实现相当于0等待状态程序执行的性能。该性能已通过CoreMark®基准测试验证。

　　STM32F205VGT6提供三个12位adc，两个dac，一个低功耗RTC，十二个通用的16位定时器，包括两个用于电机控制的PWM定时器，两个通用的32位定时器。真数随机发生器(RNG)。它们还具有标准和先进的通信接口。新的高级外设包括SDIO、增强的灵活静态内存控制(FSMC)接口(适用于100引脚或更多封装的设备)和CMOS传感器的摄像头接口。这些设备还配备了标准外设。

　　STM32F207ZGT6基于高性能Arm®Cortex®-M3 32位RISC核心，工作频率高达120 MHz。该系列集成了高速嵌入式存储器(高达1mbyte的闪存，高达128kbytes的系统SRAM)，高达4kbytes的备份SRAM，以及广泛的增强型I/ o和外设，连接到两个APB总线，三个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。

　　STM32F207ZGT6还具有自适应实时内存加速器(ART accelerator™)，允许在最高120 MHz的CPU频率下从闪存中实现相当于0等待状态程序执行的性能。该性能已通过CoreMark®基准测试验证。

　　STM32F207ZGT6提供三个12位adc，两个dac，一个低功耗RTC，十二个通用的16位定时器，包括两个用于电机控制的PWM定时器，两个通用的32位定时器。真数随机发生器(RNG)。它们还具有标准和先进的通信接口。新的高级外设包括SDIO、增强的灵活静态内存控制(FSMC)接口(适用于100引脚或更多封装的设备)和CMOS传感器的摄像头接口。这些设备还配备了标准外设。

　　STM32F205RGT6基于高性能Arm®Cortex®-M3 32位RISC核心，工作频率高达120 MHz。该系列集成了高速嵌入式存储器(高达1mbyte的闪存，高达128kbytes的系统SRAM)，高达4kbytes的备份SRAM，以及广泛的增强型I/ o和外设，连接到两个APB总线，三个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。

　　STM32F205RGT6还具有自适应实时内存加速器(ART accelerator™)，允许在最高120 MHz的CPU频率下从闪存中实现相当于0等待状态程序执行的性能。该性能已通过CoreMark®基准测试验证。

　　STM32F205RGT6提供三个12位adc，两个dac，一个低功耗RTC，十二个通用的16位定时器，包括两个用于电机控制的PWM定时器，两个通用的32位定时器。真数随机发生器(RNG)。它们还具有标准和先进的通信接口。新的高级外设包括SDIO、增强的灵活静态内存控制(FSMC)接口(适用于100引脚或更多封装的设备)和CMOS传感器的摄像头接口。这些设备还配备了标准外设。