提供最新电子元器件知识
电子元器件一站式供应链服务平台
服务热线:4000-306-326
服务时间:09: 00-18: 00
公众号
抖音号
IR2111(S)是一款高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高低侧参考输出通道,专为半桥应用而设计。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术使坚固的整体结构。逻辑输入与标准CMOS输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计用于最小的驱动器交叉传导。提供内部死区以避免输出半桥的射穿。浮动通道可用于驱动高侧配置的n通道功率MOSFET或IGBT,其工作电压可达600伏。
IR2113SPBF是高电压,高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术使坚固的整体结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计用于最小的驱动器交叉传导。传播延迟匹配,以简化在高频应用中的使用。浮动通道可用于驱动高侧配置的n通道功率MOSFET或IGBT,其工作电压可达500或600伏。
IR2111STRPBF是一款高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高低侧参考输出通道,专为半桥应用而设计。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术使坚固的整体结构。逻辑输入与标准CMOS输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计用于最小的驱动器交叉传导。提供内部死区以避免输出半桥的射穿。浮动通道可用于驱动高侧配置的n通道功率MOSFET或IGBT,其工作电压可达600伏。