ULN2003AD为高电压、大电流达林顿晶体管阵列。每款器件均由 7 个 NPN 达林顿对组成，这些达林顿对具有高压输出，带有用于开关感性负载的共阴极钳位二极管。

　　ULN2003ADR专门设计用于 14V 至 25V PMOS 器件。该器件的每个输入端都有一个串联的齐纳二极管和电阻，可将输入电流控制在安全范围内。ULN2003AD每个达林顿对都具有一个 2.7kΩ 的串联基极电阻，可直接与 TTL 或 5V CMOS 器件一同工作。

　　单个达林顿对的集电极电流额定值为500mA。将达林顿对并联可以提供更大的电流。包括继电器驱动器、电锤驱动器、灯驱动器、显示驱动器(LED 和气体放电)、线路驱动器和逻辑缓冲器。

　　ULN2003ADR为高电压、大电流达林顿晶体管阵列。每款器件均由 7 个 NPN 达林顿对组成，这些达林顿对具有高压输出，带有用于开关感性负载的共阴极钳位二极管。

　　ULN2003ADR专门设计用于 14V 至 25V PMOS 器件。该器件的每个输入端都有一个串联的齐纳二极管和电阻，可将输入电流控制在安全范围内。ULN2003ADR每个达林顿对都具有一个 2.7kΩ 的串联基极电阻，可直接与 TTL 或 5V CMOS 器件一同工作。

　　单个达林顿对的集电极电流额定值为500mA。将达林顿对并联可以提供更大的电流。包括继电器驱动器、电锤驱动器、灯驱动器、显示驱动器(LED 和气体放电)、线路驱动器和逻辑缓冲器。

　　ULN2003AIDR为高电压、大电流达林顿晶体管阵列。均由 7 个 NPN 达林顿对组成，这些达林顿对具有高压输出，带有用于开关感性负载的共阴极钳位二极管。

　　单个达林顿对的集电极电流额定值为 500mA。将达林顿对并联可以提供更大的电流。包括继电器驱动器、电锤驱动器、灯驱动器、显示驱动器(LED 和气体放电)、线路驱动器和逻辑缓冲器。

　　ULN2003AIDR专门设计用于14V 至25V PMOS 器件。ULN2003AIDR每个输入端都有一个串联的齐纳二极管和电阻，可将输入电流控制在安全范围内。ULN2003AIDR每个达林顿对都具有一个 2.7kΩ 的串联基极电阻，可直接与 TTL 或 5V CMOS 器件一同工作。

　　ULN2003AIDR具有一个10.5kΩ 串联基极电阻，允许直接从使用6V至 15V电源电压的CMOS 器件进行操作。ULN2003AIDR所需的输入电流低于 ULx2003A 器件的输入电流，所需电压小于ULN2003AIDR所需电压。

　　ULN2003AN为高电压、大电流达林顿晶体管阵列。均由 7 个 NPN 达林顿对组成，这些达林顿对具有高压输出，带有用于开关感性负载的共阴极钳位二极管。

　　单个达林顿对的集电极电流额定值为 500mA。将达林顿对并联可以提供更大的电流。包括继电器驱动器、电锤驱动器、灯驱动器、显示驱动器(LED 和气体放电)、线路驱动器和逻辑缓冲器。

　　ULN2003AN专门设计用于 14V 至 25V PMOS 器件。每个输入端都有一个串联的齐纳二极管和电阻，可将输入电流控制在安全范围内。ULN2003AN每个达林顿对都具有一个 2.7kΩ 的串联基极电阻，可直接与 TTL 或 5V CMOS 器件一同工作。

　　ULN2003AN具有一个 10.5kΩ 串联基极电阻，允许直接从使用 6V 至 15V 电源电压的 CMOS 器件进行操作。ULN2003AN所需的输入电流低于 ULx2003A 器件的输入电流，所需电压小于 ULN2002A 器件的所需电压。

　　ULN2003APWR为高电压、大电流达林顿晶体管阵列。每款器件均由 7 个 NPN 达林顿对组成，这些达林顿对具有高压输出，带有用于开关感性负载的共阴极钳位二极管。

　　单个达林顿对的集电极电流额定值为 500mA。将达林顿对并联可以提供更大的电流。包括继电器驱动器、电锤驱动器、灯驱动器、显示驱动器(LED 和气体放电)、线路驱动器和逻辑缓冲器。

　　ULN2003APWR专门设计用于14V至25V PMOS器件。每个输入端都有一个串联的齐纳二极管和电阻，可将输入电流控制在安全范围内。ULN2003APWR的每个达林顿对都具有一个 2.7kΩ 的串联基极电阻，可直接与 TTL 或 5V CMOS 器件一同工作。

　　ULN2003APWR具有一个10.5kΩ串联基极电阻，允许直接从使用6V至15V电源电压的CMOS器件进行操作。ULN2003APWR所需的输入电流低于 ULx2003A 器件的输入电流，所需电压小于 ULN2002A 器件的所需电压。

　　ULN2003LVPWR是 TI ULN2003系列一员，7 通道达灵顿 (Darlington) 复合晶体管阵列的低压和低功耗升级产品。ULN2003LVPWR下沉式驱动器特有 7 个低输出阻抗驱动器以支持低压中继和电感线圈应用。 低阻抗驱动器大大降低了片上功耗;对于典型 3V 中继，功率耗散低了多达 5 倍。 ULN2003LV 驱动器与相似封装内的 ULN2003 系列器件引脚到引脚兼容。

　　ULN2003LVPWR支持3.3V 至5V CMOS逻辑输入接口，ULN2003LVPWR与大范围的微控制器和其它逻辑接口兼容。 ULN2003LVPWR特有一个改进的输入接口，此接口可以大大降低取自外部驱动器的输入 DC 电流。 特有一个输入 RC 缓冲器，此缓冲器能够极大地改进此器件在嘈杂运行条件下的性能。ULN2003LVPWR 通道输入特有一个内部输入下拉电阻器从而可实现三态输入逻辑。

　　ULN2003LVPWR通过将几条相邻的并联通道相组合来提供增加电流吸收能力的灵活性。 在通常情况下，当所有7个通道并联时，ULN2003LVPWR能够支持高达1.0A的负载电流。 此外，ULN2003LVPWR还可用于各类需要灌电流驱动器的应用，例如驱动LED和逻辑电平转换。

　　ULN2003V12PWR是一TI的ULN2003系列，拥有7 通道达灵顿 (Darlington) 晶体管阵列的低功耗升级产品。ULN2003V12PWR下沉式驱动器特有7 个低输出阻抗驱动器，此驱动器能够大大降低片上功率耗散。 当驱动一个典型值为 12V 中继线圈时，一个 ULN2003V12 的功率耗散比一个等效的 ULN2003A 低 12 倍。ULN2003V12 驱动器与 ULN2003 系列具有相似封装，并且引脚对引脚兼容。

　　ULN2003V12PWR支持 3.3V 至5V CMOS 逻辑输入接口，ULN2003V12PWR产品与大范围的微控制器和其它逻辑接口兼容。ULN2003V12PWR特有一个改进的输入接口，此接口可以大大降低取自外部驱动器的输入 DC 电流。ULN2003V12PWR有一个输入 RC 缓冲器，此缓冲器能够极大地改进此器件在嘈杂运行条件下的性能。 通道输入特有一个内部输入下拉电阻器从而可实现三态输入逻辑。