UCC27201ADDA高频 N 沟道 MOSFET 驱动器由 120V 自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现 N 沟道 MOSFET 控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了 1ns 的延迟匹配。UCC27201ADDA基于常见的 UCC27200/1 驱动器，但提供了一些增强功能。UCC27201ADDA具有增强型 ESD 输入结构并且其 HS 引脚最高能够承受 -18V 电压，这使得其在嘈杂电源环境下的性能得到了改善。

　　由于在芯片上集成了一个自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。为高端和低端驱动器提供了欠压闭锁功能，如果驱动电压低于规定的门限，则强制输出为低电平。

　　UCC27201ADDAR高频 N 沟道 MOSFET 驱动器由 120V 自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现 N 沟道 MOSFET 控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了 1ns 的延迟匹配。UCC27201ADDAR基于常见的 UCC27200/1 驱动器，但提供了一些增强功能。UCC27201ADDAR具有增强型 ESD 输入结构并且其 HS 引脚最高能够承受 -18V 电压，这使得其在嘈杂电源环境下的性能得到了改善。

　　由于在芯片上集成了一个自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。为高端和低端驱动器提供了欠压闭锁功能，如果驱动电压低于规定的门限，则强制输出为低电平。

　　UCC27201AQDMKRQ1高频 N 沟道 MOSFET 驱动器由 120V 自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。 这可在半桥式、全桥式、两开关正激式和有源箝位正激式转换器中提供N沟道 MOSFET 控制。 低端和高端栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了至 1ns 的匹配。 UCC27201A-Q1 基于常见的 UCC27200 和 UCC27201 驱动器，但提供了一些增强功能。 UCC27201A-Q1 的 HS 引脚最高能够承受 -18V 电压，这使得其在电源噪声环境下的性能得到了改善。

　　由于在芯片上集成了一个自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。 为高端和低端驱动器提供了欠压闭锁功能，如果驱动电压低于规定的门限，则强制输出为低电平。

　　UCC27211ADRMT驱动器基于广受欢迎的 UCC27201 MOSFET 驱动器;但该器件相比之下具有显著的性能提升。

　　峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至 4A 拉电流和 4A 灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至 0.9Ω，因此可以在 MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率 MOSFET。输入结构能够直接处理 -10 VDC，这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关，并且具有 20V 的最大额定值。

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　　UCC27211ADRMT的开关节点(HS 引脚)最高可处理 –18V 电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。UCC27211ADRMT(伪 CMOS 输入)和 UCC27211A (TTL inputs) 已经增加了滞后特性，从而使得用于模拟或数字脉宽调制 (PWM) 控制器的接口具有增强的抗扰度。

　　低端和高端栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了至 2ns 的匹配。

　　由于在芯片上集成了一个额定电压为 120V 的自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能，可提供对称的导通和关断行为，并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。

　　UCC27211AQDDARQ1器件驱动器基于广受欢迎的 UCC27201 MOSFET 驱动器;但该器件相比之下具有显著的性能提升。

　　峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至 4A 拉电流和 4A 灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至 0.9Ω，因此可以在 MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率 MOSFET。输入结构能够直接处理 -10 VDC，这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关，并且具有 20V 的最大额定值。

　　UCC27211AQDDARQ1的开关节点(HS 引脚)最高可处理 –18V 电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。UCC27211AQDDARQ1已经增加了滞后特性，从而使得用于模拟或数字脉宽调制 (PWM) 控制器的接口具有增强的抗扰度。

　　低端和高端栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了至 2ns 的匹配。

　　由于在芯片上集成了一个额定电压为 120V 的自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能，可提供对称的导通和关断行为，并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。

　　UCC27211 驱动器是基于广受欢迎的 UCC27200 和 UCC27201 MOSFET 驱动器，但性能得到了显著提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至 4A 拉电流和 4A 灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至 0.9Ω，因此可以在 MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率 MOSFET。现在，输入结构能够直接处理 -10 VDC，这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。这些输入与电源电压无关，并且具有 20V 的最大额定值。

　　UCC27211D的开关节点(HS 引脚)最高可处理 -18V 电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。UCC27210(伪 CMOS 输入)和 UCC27211(TTL 输入)已经增加了滞后特性，从而使得到模拟或数字脉宽调制 (PWM) 控制器接口的抗扰度得到了增强。

　　低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了 2ns 的延迟匹配。

　　由于在芯片上集成了一个额定电压为 120V 的自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能，可提供对称的导通和关断行为，并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。

　　UCC27211DPRT驱动器是基于广受欢迎的 UCC27200 和 UCC27201 MOSFET 驱动器，但性能得到了显著提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至 4A 拉电流和 4A 灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至 0.9Ω，因此可以在 MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率 MOSFET。现在，输入结构能够直接处理 -10 VDC，这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。这些输入与电源电压无关，并且具有 20V 的最大额定值。

　　UCC27211DPRT的开关节点(HS 引脚)最高可处理 -18V 电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。UCC27210(伪 CMOS 输入)和 UCC27211(TTL 输入)已经增加了滞后特性，从而使得到模拟或数字脉宽调制 (PWM) 控制器接口的抗扰度得到了增强。

　　低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了 2ns 的延迟匹配。

　　由于在芯片上集成了一个额定电压为 120V 的自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能，可提供对称的导通和关断行为，并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。

　　UCC27322QDGNRQ1高速驱动器在行业标准引脚中提供9 A的峰值驱动电流。由于高dV/dt跃迁，这些驱动器可以为需要极端米勒电流的系统驱动大型mosfet。这消除了额外的外部电路，可以替换多个组件，以减少空间、设计复杂性和组装成本。提供了两种标准逻辑选项，反转(UCC27321-Q1)和非反转(UCC27322-Q1)。

　　使用最小化贯穿电流的设计，这些器件的输出可以在MOSFET开关转换期间米勒高原区域最需要的地方提供高栅极驱动电流。独特的混合输出级并联双极和MOSFET晶体管(TrueDrive)允许在低电源电压下高效电流输送。有了这种驱动器架构，UCC27322QDGNRQ1可用于行业标准6-A、9-A和许多12-A驱动器应用。锁存和ESD保护电路也包括在内。最后，UCC27322QDGNRQ1提供了enable (ENBL)功能，以更好地控制驱动程序应用程序的操作。ENBL在引脚3上实现，以前在行业标准引脚中未使用。它在内部被拉到VDD，用于活动高逻辑，并且可以保持开放状态以进行标准操作。

　　除了8针SOIC (D)封装产品外，UCC27322QDGNRQ1还采用了热增强但微小的8针MSOP-PowerPAD (DGN)封装。PowerPAD封装大幅降低热阻，扩展温度工作范围，提高长期可靠性。

　　UCC27324DGNR高速双路 MOSFET 驱动器提供 4A 峰值拉电流和 4A 峰值灌电流，以在米勒平坦区域提供最需要的高效 MOSFET 驱动。独特的双极和 MOSFET 混合输出级并联，可在低电源电压下实现高效的拉电流和灌电流。提供了 3 个标准逻辑选项的组合 - 双路反相、双路同相、一路反相和一路同相。输入阈值基于 TTL 和 CMOS，和电源电压无关，并具有能提供极佳防噪性能的宽输入迟滞。UCC27324DGNR提供标准 SOIC-8 (D) 或 PDIP-8 (P) 封装以及热增强型 8 引脚 PowerPAD MSOP 封装 (DGN)，大大降低了热阻以改善长期可靠性。