UCC27211AQDDARQ1器件驱动器基于广受欢迎的 UCC27201 MOSFET 驱动器;但该器件相比之下具有显著的性能提升。

　　峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至 4A 拉电流和 4A 灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至 0.9Ω，因此可以在 MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率 MOSFET。输入结构能够直接处理 -10 VDC，这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关，并且具有 20V 的最大额定值。

　　UCC27211AQDDARQ1的开关节点(HS 引脚)最高可处理 –18V 电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。UCC27211AQDDARQ1已经增加了滞后特性，从而使得用于模拟或数字脉宽调制 (PWM) 控制器的接口具有增强的抗扰度。

　　低端和高端栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了至 2ns 的匹配。

　　由于在芯片上集成了一个额定电压为 120V 的自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能，可提供对称的导通和关断行为，并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。

　　· 适用于汽车电子 应用

　　· 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果：

　　o 器件温度等级：–40°C 至 +140°C 的工作环境温度范围

　　o 器件人体放电模式 (HBM) 分类等级 2

　　o 器件组件充电模式 (CDM) 分类等级 C6

　　· 可通过独立输入驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)

　　· 最大引导电压 120V 直流

　　· 4A 吸收，4A 源输出电流

　　· 0.9Ω 上拉和下拉电阻

　　· 输入引脚能够耐受 –10V 至 +20V 的电压，并且与电源电压范围无关

　　· TTL 兼容输入

　　· 8V 至 17V VDD 运行范围(绝对最大值 20V)

　　· 7.2ns 上升时间和 5.5ns 下降时间(采用 1000pF 负载时)

　　· 快速传播延迟时间(典型值 20ns)

　　· 4ns 延迟匹配

　　· 用于高侧和低侧驱动器的对称欠压锁定功能

　　· 采用行业标准 SO-PowerPAD SOIC-8 封装

　　· -40℃ 至 +140°C 的额定温度范围

　　德州仪器(Texas Instruments)，简称TI，TI总部位于美国德克萨斯州达拉斯，TI是世界最大的模拟电路技术部件制造商。并在25多个国家设有制造、设计或销售机构。TI1954年1月世界第一个硅晶体管;1958年9月世界第一个集成电路;1982年，德州仪器发布了世界首个单芯片数字信号处理器DSP;TI创造了多个行业“第一”，TI十几年前就开始布局护城河，先后收购了BB和NS，稳固了模拟IC的领导地位。TSMC和SMIC的创始人，都是出自TI，除半导体业务外，还提供包括传感与控制、教育产品和数字光源处理解决方案。