提供最新电子元器件知识
电子元器件一站式供应链服务平台
服务热线:4000-306-326
服务时间:09: 00-18: 00
公众号
抖音号
INTEL(英特尔)MAX®II系列快速启动的非易失性cpld系列、基于0.18-µm、6层金属闪存工艺,密度为240至2210个逻辑元件(LE)(128至2210等效宏单元),非易失存储为8 Kbit。与其他CPLD架构相比,MAX II设备提供了高I/O计数、快速性能和可靠的装配。MAX II设备具有MultiVolt内核、用户闪存(UFM)块和增强的系统内可编程性(ISP),旨在降低成本和功耗,同时为总线桥接、I/O扩展、上电复位(POR)和顺序控制以及设备配置控制等应用提供可编程解决方案。
EPM1270T144I5N是MAX®II系列即时启动,非易失性cpld基于0.18 μ m, 6层金属闪光过程,密度从240到2210逻辑元素(LEs)(128到2210等效宏细胞)和8 Kbits的非易失性存储。与其他CPLD体系结构相比,MAX II设备提供高I/O计数、快速性能和可靠的拟合。MAX II设备以MultiVolt核心、用户闪存(UFM)块和增强的系统内可编程(ISP)为特点,旨在降低成本和功耗,同时为总线桥接、I/O扩展、上电复位(POR)和排序控制以及设备配置控制等应用提供可编程解决方案。
EPM1270T144C5N的MAX®II系列即时启动,非易失性cpld基于0.18 μ m, 6层金属闪光过程,密度从240到2210逻辑元素(LEs)(128到2210等效宏细胞)和8 Kbits的非易失性存储。与其他CPLD体系结构相比,MAX II设备提供高I/O计数、快速性能和可靠的拟合。MAX II设备具有MultiVolt™核心、用户闪存(UFM)块和增强的系统内可编程性(ISP),旨在降低成本和功耗,同时为总线桥接、I/O扩展、上电复位(POR)和排序控制以及设备配置控制等应用提供可编程解决方案。
MAX®II系列快速启动的非易失性cpld系列基于0.18 μ m, 6层金属闪光过程,密度从240到2210逻辑元件(LEs)(128到2210等效宏单元)和8 Kbits的非易失性存储。与其他CPLD架构相比,MAX II器件提供了高I/O计数、快速性能和可靠的匹配。MAX II设备具有MultiVolt核心、用户闪存(UFM)块和增强的系统内可编程性(ISP),旨在降低成本和功耗,同时为总线桥接、I/O扩展、上电复位(POR)和排序控制以及设备配置控制等应用提供可编程解决方案。