6EDL04N06PT家族-第二代是全桥驱动器，用于控制三相系统中的mos晶体管或igbt等功率器件，最大阻塞电压为+600 V。所采用的soi技术对暂态电压具有良好的坚固性。该器件中不存在寄生晶闸管结构。因此，在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闭锁。六个独立的驱动器被控制在低侧使用CMOS响应。LSTTL兼容信号，低至3.3 V逻辑。

　　该装置包括具有迟滞特性的欠压检测单元和过流检测。过流电平是通过选择电阻值和引脚ITRIP的阈值电平来调整的。这两种错误条件(欠压和过流)导致所有6个开关明确关闭。在FAULT开漏输出引脚处提供一个错误信号。过流后的阻塞时间可通过引脚RCIN上的rc网络进行调整。输入RCIN拥有一个2.8µA的内部电流源。因此，电阻RRCIN是可选的。

　　6EDL04I06NTXUMA1家族-第二代是全桥驱动器，用于控制三相系统中的mos晶体管或igbt等功率器件，最大阻塞电压为+600 V。所采用的soi技术对暂态电压具有良好的坚固性。该器件中不存在寄生晶闸管结构。因此，在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闭锁。六个独立的驱动器被控制在低侧使用CMOS响应。

　　LSTTL兼容信号，低至3.3 V逻辑。该装置包括具有迟滞特性的欠压检测单元和过流检测。过流电平是通过选择电阻值和引脚ITRIP的阈值电平来调整的。这两种错误条件(欠压和过流)导致所有6个开关明确关闭。在FAULT开漏输出引脚处提供一个错误信号。过流后的阻塞时间可通过引脚RCIN上的rc网络进行调整。输入RCIN拥有一个2.8µA的内部电流源。

　　因此，电阻RRCIN是可选的。典型的输出电流可以给出165 mA的上拉和375 mA的下拉。由于系统安全原因，实现了310ns的联锁时间。输入EN的功能可以选择扩展超温检测，使用外部ntcretransistor(见图1)。引脚VCC和VBx之间的单片集成bootstrap二极管结构可用于高侧电源。

　　EiceDRIVER™1200 V三相栅极驱动器，典型0.35 A源和0.65 A汇聚电流，采用DSO-24引线封装，用于IGBT离散和IGBT模块。

　　通过利用我们的1200 V薄膜绝缘体上硅(SOI)技术，6ED2230S12T提供了独特的，可测量的优势，包括三个低欧姆集成自引导二极管(BSD)和行业最佳的鲁棒性，以防止负瞬态电压峰值。

　　6ED2230S12T是一款高电压、高速IGBT栅极驱动器，有三个独立的高侧和低侧参考

　　三相应用的输出通道。6ED2230S12T集成了保护功能，如过流保护，快速，准确的故障报告(+/-5%)，直通保护，和欠压锁定(UVLO)保护集成在DSO-24封装中。DSO-24封装(去除4脚的DSO-28)提供了小IC封装和间隙距离之间的最佳权衡。

　　6ED2230S12T非常适合低功耗设计，最高可达6kw或更高功率水平，并带有额外的外部缓冲电流驱动器。当与EasyPACK 1B或EasyPACK 2B等英飞凌IGBT模块结合使用时，设计在性能、小尺寸和成本之间实现了最佳平衡。EVAL-M1-6ED2230-B1清楚地证明了这一点。

　　6ED003L02-F2是全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOSFET或igbt等功率器件，最大阻塞电压为+600 V。所采用的soi技术对暂态电压具有良好的坚固性。6ED003L02-F2中不存在寄生晶闸管结构。因此，在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闭锁。六个独立的驱动器被控制在低侧使用CMOS响应。LSTTL兼容信号，低至3.3 V逻辑。装置包括具有迟滞特性的欠压检测单元和过流检测。过流电平是通过选择电阻值和引脚ITRIP的阈值电平来调整的。这两种错误条件(欠压和过流)导致所有六个开关明确关闭。在FAULT开漏输出引脚处提供一个错误信号。过流后的阻塞时间可通过引脚RCIN上的rc网络进行调整。输入RCIN拥有一个2.8µA的内部电流源。因此，电阻RRCIN是可选的。典型的输出电流可以给出165 mA的上拉和375 mA的下拉。

　　EiceDRIVER™2EDF7275KXUMA2是功能隔离栅极驱动器，专为高性能直流-直流中等电压半桥和全桥拓扑设计。4A/8A 拉/灌电流结合 37ns 低传播延迟以及温度和生产高精度定时，特别适用于高频 PWM 控制，具有最短的死区时间窗口，提供极高的转换效率。

　　栅极驱动器输出级阻抗极低，使驱动器封装和 PCB 温度更低，为高密度功率全砖转换器带来重大优势。该器件 4V UVLO 和死区时间控制确保 OptiMOS™ 半桥 MOSFET 始终在安全工作范围内运行。即便在功率环路快速开关瞬态 (di/dt) 下，150V/ns CMTI 仍能确保高稳健性。EiceDRIVER™ 2EDF7275KXUMA2包括可编程 DTC(死区时间控制)和反向 SLDOP 模式。所有器件均可在低成本自举高边供电条件下工作，采用成本具有竞争力的小型 LGA13 5mm x 5mm 封装。

　　EiceDRIVER™ 2EDF7275K是功能隔离栅极驱动器，专为高性能直流-直流中等电压半桥和全桥拓扑设计。4A/8A 拉/灌电流结合 37ns 低传播延迟以及温度和生产高精度定时，特别适用于高频 PWM 控制，具有最短的死区时间窗口，提供极高的转换效率。

　　栅极驱动器输出级阻抗极低，使驱动器封装和 PCB 温度更低，为高密度功率全砖转换器带来重大优势。该器件 4V UVLO 和死区时间控制确保 OptiMOS™ 半桥 MOSFET 始终在安全工作范围内运行。即便在功率环路快速开关瞬态 (di/dt) 下，150V/ns CMTI 仍能确保高稳健性。EiceDRIVER™ 2EDF7275K包括可编程 DTC(死区时间控制)和反向 SLDOP 模式。所有器件均可在低成本自举高边供电条件下工作，采用成本具有竞争力的小型 LGA13 5mm x 5mm 封装。

　　EiceDRIVER™ 2EDF7275FXUMA2 完美适用于噪声高功率开关环境高边和低边 MOSFET 主级侧控制，实现稳健运行。强大的 4A/8A 拉/灌双通道栅极驱动器，可在驱动 CoolMOS™ 或 OptiMOS™ 等高压和中压 MOSFET 时进行快速开关。两个输出通道均单独隔离，可以灵活部署为浮动栅极驱动器，具有 150V/ns 极高 CMTI(共模噪声抗扰度)。

　　VDDi 输入电源支持宽域电压范围 SLDO 模式，节省板上 LDO。低速开关或驱动较小 MOSFET 时，可以选用 1A/2A 峰值电流产品型号 EiceDRIVER™ 2EDF7275FXUMA2，该型号采用 DSO-16 窄体封装，具有 4mm 爬电距离。