当前位置:首页 > GigaDevice兆易创新 > GD25LQ16C8IGR 16M位串行闪存
型号推荐
作者:万联芯城

提供最新电子元器件知识

电子元器件一站式供应链服务平台

服务热线:4000-306-326

服务时间:09: 00-18: 00

公众号

抖音号

Aug
06

GD25LQ16C8IGR 16M位串行闪存

基础介绍

GD25LQ16C8IGR

  厂商型号:GD25LQ16C8IGR

  品牌名称:GigaDevice(兆易创新)

  元件类别:NOR FLASH

  封装规格: LGA-8(3x2)

  型号介绍:16M位串行闪存

产品描述

  GD25LQ16C8IGR(16M-bit)串行闪存支持标准串行外围接口(Serial Peripheral Interface, SPI),支持双/四路SPI:串行时钟,芯片选择,串行数据I/O0 (SI)I/O1 (SO)I/O2 (WP#)I/O3 (HOLD#)。双I/O数据传输速度为208Mbits/s,四I/O和四输出数据传输速度为416Mbits/s

特点

  ●16M位串行闪存

  ●2048K字节

  ●每个可编程页面256字节

  ●标准二重的四路SPI-标准:SCLK,CS#,SO.WP#,HOLD#-标准:SLK,CS#,SO.WF#,HOLD#-双路:SCLK、CS#,,WP#,HOLDI#-四路:SCLK。CS#。102

  ●高速时钟频率104MHz,用于30PF负载的快速读取-双/输出数据传输高达208Mbit/s-四/输出数据传送高达416Mbit/s

  ●允许(就地执行)操作-带8/16/32/64字节换行的连续读取

  ●软件/硬件Wnte保护-通过软件写入保护/部分内存-使用WP#引脚启用/禁用保护-顶部/底部块保护

  ●最少100000个编程/擦除周期

中文参数

商品分类NOR FLASH品牌GigaDevice(兆易创新)
封装LGA-8_3x2mm包装圆盘

原理图

GD25LQ16C8IGR原理图

GD25LQ16C8IGR原理图

封装

GD25LQ16C8IGR封装图

GD25LQ16C8IGR封装

料号解释

GD25LQ16C8IGR料号解释图

GD25LQ16C8IGR料号解释

产品制造商介绍

  GigaDevice兆易创新,简称兆易创新,成立于2005年,总部设于中国北京,以中国为总部的全球化芯片设计公司。兆易创新拥有超过1100名员工,致力于开发先进的存储器技术、MCU和传感器解决方案,在中国的NOR FLASH市场占有率排名第一,同时也是全球排名前三的供应商之一,累计出货量近160亿颗,年出货量超28亿颗。兆易创新已获得ISO 9001、ISO 14001等国际质量体系认证,同时积极推进产业整合,拓展战略布局,在已有的微控制器、存储器基础上,布局物联网领域人机交互技术,兆易创新与全球多家领先晶圆厂、封装测试厂达成战略合作伙伴关系,兆易创新通过加强产业上下游合作、优化供应链管理,共同推进半导体领域的技术创新。兆易创新在上海、合肥、中国香港设有全资子公司、在深圳设有分公司,在中国台湾地区设有办事处,并在韩国、美国、日本等地通过产品分销商为公司的客户提供优质便捷的本地化服务。

10s
温馨提示:
订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
返回顶部